化學氣相淀積方法是半導體研究界和產業界中應用最為廣泛的用于制備薄膜材 料的常用方法之一，可制備的薄膜材料包括大多數半導體薄膜、介質薄膜、金屬及合 金薄膜。
隨著半導體器件性能的提高，對于材料的質量要求也隨之提高。

對于CVD材料 生長設備來說，要獲得高質量的材料，首先必須保證作為反應物的氣源由源區至反應 區的輸運及控制過程中的純度，即保證整個配氣氣路的氣密性。目前，CVD材料生 長設備的配氣氣路一般采用卡套式管接頭或VCR接頭來實現輸氣管道、控制元件之 間的密封連接。

VCR接頭氣密性比較好，安裝拆卸方便，但價格較貴。為降低實驗及生產成本， 常采用卡套式管接頭實現氣路的密封連接?？ㄌ资焦芙宇^具有結構簡單、重量輕、體 積小、使用方便、不用焊接，而且具有良好的耐壓性、耐振動性、耐熱性及可靠的密 封性，價格遠低于VCR接頭。

采用卡套式管接頭進行氣路連接，成本較低的同時又 能保證連接處的氣密性，但安裝時就必須從整個氣路的一端開始逐個安裝到另一端， 固定一端接頭體后插入長度合適的金屬管并固定卡套，再安裝另一端的卡套及接頭體 并固定接頭體和卡套；需要修理或拆卸時也必須從整個氣路的某一端丌始拆卸到需要 檢修或替換的部件為止。

這就給配氣裝置的氣路維護帶來了很大的不便，尤其是當氣 路中的某一個控制元件需要替換時，就必須從氣路的一端開始到需要替換的部件為 止，將其間的氣路管道和控制元件全部依次拆卸。

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